雙電測數字式四探針測試儀型號： ST2263
概述 ST2263型是運用直線或方形四探針雙位測-改進形范德堡測量方法測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準。

雙電測數字式四探針測試儀型號： ST2263

概述
     ST2263型雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測-改進形范德堡測量方法測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高 度，特別是適用于斜置式四探針對于微區的測試。  
      ST2263型成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺以及PC軟件等部分組成。 北京同德創業  專業鑄造品質
      ST2263型主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機系統組成，USB通訊接口。儀器主機所有參數設定、功能轉換全部采用數字化鍵盤和數碼開關輸入；具有零位、滿度自校功能；測試功能可自動/手動方式；儀器操作可由配套軟件在PC機上操作完成，也可脫PC機由四探針儀器面板上獨立操作完成。測試結果數據由主機數碼管直接顯示，也可連機由軟件界面同步顯示、分析、保存和打印！
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     探頭選配：根據不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。

型號： ST2263
     測試臺選配：一般四探針法測試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測試臺。 北京同德創業  專業鑄造品質
          詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的特點與選型參考》點擊進入 
      ST2263型具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、測量簡便、結構緊湊、使用方便等特點。
     儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試，特別是適用于斜置式四探針對于微區的測試。

型號： ST2263
三、基本技術參數 北京同德創業  專業鑄造品質
3.1  測量范圍 北京同德創業  專業鑄造品質
    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
    電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω
3.2  材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式決定)
    直    徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
    SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限.
    長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
    測量方位: 軸向、徑向均可
3.3.  4-1/2 位數字電壓表：
    (1)量程： 20.00mV～2000mV
    (2)誤差：±0.1%讀數±2 字
3.4  數控恒流源
   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA，1A
   (2)誤差：±0.1%讀數±2 字
3.5  四探針探頭（選配其一或加配全部）
   (1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調
   (2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可調
3.6 電源 北京同德創業  專業鑄造品質
   輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗：<20W
3.7 外形尺寸：
   主機  220mm（長）×245 mm（寬）×100mm（高）

產品名稱：砂體視顯微鏡 產品型號： TD-SXT

 砂體視顯微鏡 型號： TD-SXT
產品用途： 實驗室觀測分析型砂特征 
◆主要技術參數 
1、放大倍數 40X
2、物方視場 5.0mm
3、工作距離 66mm
4、支架升降范圍 70mm
5、兩目鏡中心可調距離 55~70mm
6、總重量：1.8kg
7、外形尺寸 320*180*120（mm）